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IBM和TDK和联合开发高bte365密度、高容量MRAM芯片

2020-05-17作者:七娃来源:体育网次阅读

      据国外媒体报道,IBM和TDK本周一宣布双方将联合开发高密度、高储存容量的MRAM(磁性储存)芯片。 
  二公司表示,它们将研究采用“自旋动量转移”(spin momentum transfer)制造更小的数据储存单元。MRAM芯片采用磁场储存数据而不是电荷,它是一种非易失性储存产品,象闪存一样,在没有电能的情况下MRAM芯片仍然能够保存数据。
  MRAM芯片的书写速度比闪存更快,能够比得上使用在计算机上的DRAM储存芯片。计算机是MRAM芯片的潜在市场,由于不需要加载软件,因此能够使计算机迅速启动。
  IBM和TDK公司希望它们开发的高容量MRAM芯片能够对手机和手持计算机制造商有更大的吸引力。过去IBM曾经和英飞凌科技公司在研究MRAM技术上进行了合作,去年七月份,它们已经开始大量制造商品化4MB储存容量的MRAM芯片。

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